La empresa surcoreana está trabajando activamente en todas estas direcciones. Sin embargo, una cosa es lograr un gran avance en una dirección concreta y otra muy distinta llevarlo a los usuarios finales.
LA Samsung es una empresa líder en semiconductores. Fabrica sensores de cámara, memorias, conjuntos de chips, almacenamiento, Batería, etc. La empresa surcoreana está trabajando activamente en todas estas direcciones. Sin embargo, una cosa es lograr un gran avance en una dirección concreta y otra muy distinta llevarlo a los usuarios finales. Por ejemplo, recientemente, el vicepresidente de Samsung Younggwan Ko dijo en un seminario que a medida que los semiconductores de memoria se vuelven más poderosos, la La tecnologia los envases deben evolucionar juntos. Al respecto, dijo que aplicar el proceso MSAP a sus chips de memoria DDR6 permitirá a Samsung fabricar chips con circuitos más finos.
como se informó los elegidos, los competidores de Samsung utilizaron anteriormente la tecnología de empaquetado MSAP para la memoria DDR5. Pero Samsung quiere tomar ventaja y usarlo para DDR6.
En los métodos de envasado tradicionales, solo se recubren las áreas del patrón del circuito y las otras áreas se graban. Sin embargo, en el acondicionamiento MSAP, las otras áreas están recubiertas y las áreas en blanco están recubiertas, lo que da como resultado circuitos más delgados.
La memoria DDR6 con tecnología MSAP tendrá muchas ventajas
Samsung lanzó su primer chip DRAM GDDR6 de 24 Gbps para tarjetas gráficas a principios de esta semana. Los informes correspondientes indican que la empresa se encuentra en las primeras etapas del desarrollo de DDR6. Si cree en un informe del año pasado, Samsung completará el diseño de la memoria DDR6 en 2024.
DDR6 debería ser el doble de rápido que DDR5 y tener el doble de canales de memoria. DDR6 puede alcanzar una velocidad de transferencia de alrededor de 12 800 Mbps y admite overclocking de hasta 17 000 Mbps.
Actualmente, los DIMM DDR5 más rápidos de Samsung tienen velocidades de transferencia de hasta 7200 Mbps. En otras palabras, DDR6 será 0,7 veces más rápido y la velocidad de overclock será 1,36 veces más rápida. Así, el primer smartphone con chip de memoria DDR6 podría ser el Samsung Galaxy S25. Pero no se puede descartar la posibilidad de que Samsung suministre primero esta memoria a otros fabricantes de teléfonos inteligentes.
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